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结晶硅的理论极限为(),其研究阶段为(),大量生产规模为18%—

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    生产规模(production scale)、结晶硅(crystal silicon)、硅太阳电池、偏移电压(deviation voltage)、移相控制电路

  • [填空题]结晶硅的理论极限为(),其研究阶段为(),大量生产规模为18%—20%。

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  • 学习资料:
  • [单选题]在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动.。
  • A. A.电子B.空穴C.质子D.原子

  • [单选题]对于移相控制电路,为了限制最小移相控制角和设置移相范围,可在输入控制信号的的输入端再叠加一个()。
  • A. 交流电压
    B. 偏移电压
    C. 同步信号
    D. 触发信号

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