在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流

【名词&注释】

发现问题、相位差(phase difference)、最大值(maximum)、配线架(distributing frame)、晶体缺陷(crystal defect)、交流电(alternating current)、自由电子(free electron)、杂质浓度(impurity concentration)、少数载流子(minority carrier)、多数载流子(majority carrier)

[多选题]在杂质半导体中，少数载流子^{(minority carrier)}的浓度主要取决于（） ，而多数载流子^{(majority carrier)}的浓度则与（）有很大关系。

A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度^{(impurity concentration)}
D. 晶体缺陷
E. 空穴
F. 自由电子^{(free electron)}

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学习资料：

[多选题]正弦交流电的三要素是（）。

A. 容抗
B. 最大值
C. 初相位
D. 电势
E. 频率
F. 相位差

[多选题]如何在测量室进行电缆割接（）

A. 对原始的用户资料认真核对，发现问题及时整改
B. 根据外网对照图，建立新的配线资料，建立新的配线表
C. 根据新的配线资料在新局配线架横列位置进行绕接，根据新的配线资料在新局配线架直列进行绕接
D. 将新局局内蜂音恢复，将原旧外网断开，拆除旧局局内连线
E. 割接完成后，测量员要对所有的用户线进行全面测试

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