必典考网

若定义DATDW‘12’,则(DAT)和(DAT+1)两个相邻的内存单元中存

  • 下载次数:
  • 支持语言:
  • 1412
  • 中文简体
  • 文件类型:
  • 支持平台:
  • pdf文档
  • PC/手机
  • 【名词&注释】

    晶体管(transistor)、第二代(second generation)、命中率(hit rate)、物理地址(physical address)、百分比(percentage)、高速缓冲存储器(cache)、电子管(valve)

  • [单选题]若定义DATDW‘12’,则(DAT)和(DAT+1)两个相邻的内存单元中存放的数据是()

  • A. 32H,31H
    B. 31H,32H
    C. 00H,0CH
    D. 00H,12H

  • 查看答案&解析 查看所有试题
  • 学习资料:
  • [单选题]某内存单元的段基址为2000H偏移地址为0800H,则这个单元的物理地址应为()
  • A. 0800H
    B. 2000H
    C. 20800H
    D. 28000H

  • [单选题]6116芯片属于()
  • A. RAM
    B. SRAM
    C. ROM
    D. EPROM

  • [单选题]计算机的发展已经过了4代,其中()是第二代计算机
  • A. 电子管(valve)
    B. 晶体管
    C. 集成电路
    D. 大规模集成电路

  • [单选题]已知[X]原=00110110,其[X]补=()
  • A. 00110110
    B. 01001001
    C. 11001010
    D. 00110101

  • [单选题]62128芯片属于()
  • A. RAM
    B. SRAM
    C. ROM
    D. EPROM

  • [单选题]执行以下指令后:MOV AL,0DCHAND AL,0FHAL的内容为:()
  • A. 0D0H
    B. 66H
    C. 68H
    D. 0CH

  • [单选题]已知X=+1110111B,则[X]反=()
  • A. 01110111
    B. 11110111
    C. 00001000
    D. 10001000

  • [单选题]当高速缓冲存储器(cache)容量为32KB时,其命中率为()
  • A. 92%
    B. 80%
    C. 90%
    D. 86%

  • 本文链接:https://www.51bdks.net/show/qnkdlp.html
  • 推荐阅读

    @2019-2025 必典考网 www.51bdks.net 蜀ICP备2021000628号 川公网安备 51012202001360号