沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制

【名词&注释】

单晶硅(single crystal silicon)、工艺技术(technology)、集成电路(integrated circuit)、多晶硅(polysilicon)、成品率(yield)、氮化硅(silicon nitride)、相结合(combination)、淡红色(faint red)

[单选题]沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

A. 不会影响成品率
B. 晶圆缺陷
C. 成品率损失
D. 晶圆损失

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学习资料：

[单选题]在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合^{(combination)}的工艺技术是（）。

A. 刻蚀
B. 氧化
C. 淀积
D. 光刻

[多选题]下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

A. 二氧化硅氮化硅^{(silicon nitride)}
B. 多晶硅硅化金属
C. 单晶硅多晶硅
D. 铝铜
E. 铝硅

[单选题]树脂的外形为（）的球状颗粒。

A. 淡黄色或褐色
B. 黑色或棕色
C. 淡红色^{(faint red)}或褐色
D. 淡蓝色或棕色

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