集成电路制造工艺员（三级）题库2022模拟试题240

1. [单选题]二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。

A. 降低
B. 增加
C. 不变
D. 先降低后增加

2. [单选题]He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

A. 活跃杂质
B. 快速扩散杂质
C. 有害杂质
D. 扩散杂质

3. [多选题]通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

A. 光刻胶
B. 衬底
C. 表面硅层
D. 扩散区
E. 源漏区

4. [单选题]（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。

A. 蒸镀
B. 离子注入
C. 溅射
D. 沉积

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