必典考网

关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。

  • 下载次数:
  • 支持语言:
  • 248
  • 中文简体
  • 文件类型:
  • 支持平台:
  • pdf文档
  • PC/手机
  • 【名词&注释】

    单晶硅(single crystal silicon)、工艺技术(technology)、压力变送器(pressure transmitter)、上边带(upper sideband)、下边带(low sideband)

  • [单选题]关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。

  • A. A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
    B. B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥
    C. C、集力敏与力电转换检测于一体
    D. D、根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小。

  • 查看答案&解析 查看所有试题
  • 学习资料:
  • [单选题]如果存在齿轮偏心,则齿轮啮合频率仅存在()时。
  • A. 上边带频
    B. 下边带(low sideband)
    C. 侧边带频
    D. 中边带频

  • 本文链接:https://www.51bdks.net/show/pd4dz7.html
  • 推荐阅读

    @2019-2025 必典考网 www.51bdks.net 蜀ICP备2021000628号 川公网安备 51012202001360号