一般用（）测量注入的剂量。

【名词&注释】

光刻胶、化学反应(chemical reaction)、单晶硅(single crystal silicon)、多晶硅(polysilicon)、热氧化(thermal oxidation)、离子源(ion source)、各向同性(isotropic)、氮化硅(silicon nitride)、干法刻蚀(dry etching)、正离子(positive ion)

[单选题]一般用（）测量注入的剂量。

A. 剂量分布仪
B. 剂量统计仪
C. 电荷分析仪
D. 电荷积分仪

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[单选题]采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

A. 结晶形态
B. 非结晶形态
C. 可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D. 以上都不对

[单选题]离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子^{(positive ion)}的。

A. 等离子体
B. 不等离子体
C. 正离子^{(positive ion)}体
D. 液电流

[单选题]由于干法刻蚀^{(dry etching)}中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

A. 刻蚀速率
B. 选择性
C. 各向同性^(isotropic)
D. 各向异性

[多选题]下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

A. 二氧化硅氮化硅^{(silicon nitride)}
B. 多晶硅硅化金属
C. 单晶硅多晶硅
D. 铝铜
E. 铝硅

[多选题]（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。

A. 薄膜成长
B. 蒸发
C. 薄膜沉积
D. 溅射
E. 以上都正确

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