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硅片抛光在原理上不可分为()

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    机械抛光(mechanical polishing)、试验机(tester)、砌体抗压强度(masonry compression strength)、主要技术指标(main technical specifications)、化学抛光(chemical polishing)、示值相对误差(relative indication error)、符合要求(meet the requirement)

  • [单选题]硅片抛光在原理上不可分为()

  • A. A.机械抛光法B.化学抛光法C.手工抛光法D.机械--化学抛光法

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  • [单选题]砌墙砖试验方法(GB/T2542-2003)标准中抗折强度试验的材料试验机示值相对误差(relative indication error)不大于()。
  • A. A、±1%
    B. B、±0.5%
    C. C、±1.5%
    D. D、±2%

  • [单选题]亚共晶白口铸铁的退火组织中,不可能有下列中的哪种组织()
  • A. A、二次渗碳体
    B. B、共析渗碳体
    C. C、一次渗碳体
    D. D、共晶渗碳体

  • [单选题]砌体抗压强度的现场检测技术不包括()。
  • A. 原位轴压法
    B. 扁顶法
    C. 回弹法
    D. 原位单剪法和原位单砖双剪法

  • [单选题]扁顶的主要技术指标中极限压力应为()。
  • A. 380kN
    B. 400kN
    C. 450kN
    D. 480kN

  • [多选题]原位双剪法检测时,在测区内选择测点,以下哪些符合要求(meet the requirement)()。
  • A. 测区应随机布置n个测点,对原位单砖双剪法,在墙体两面的测点数量宜接近或相等
    B. 同一墙体的各测点之间,水平方向净距不应小于1.5m,垂直方向净距不应小于0.5m,且不应在同一水平位置或纵向位置
    C. 门、窗洞口侧边120mm范围内
    D. 试件两个受剪面的水平灰缝厚度应为8mm~12mm

  • [单选题]把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
  • A. 改变禁带宽度;
    B. 产生复合中心;
    C. 产生空穴陷阱;
    D. 产生等电子陷阱。

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