为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（

【名词&注释】

热扩散(thermal diffusion)、离子注入(ion implantation)、平整度(smoothness)、成品率(yield)、离子源(ion source)、纯净度(purity)、正离子(positive ion)、激光退火(laser annealing)

[单选题]为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。

A. 液氮冷阱
B. 净化阱
C. 抽气阱
D. 无气泵

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学习资料：

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

A. 4～6h
B. 50min～2h
C. 10～40min
D. 5～10min

[单选题]离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子^{(positive ion)}的。

A. 等离子体
B. 不等离子体
C. 正离子^{(positive ion)}体
D. 液电流

[单选题]目前，最广泛使用的退火方式是（）。

A. 热退火
B. 激光退火^{(laser annealing)}
C. 电子束退火
D. 离子束退火

[多选题]在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

A. 均匀性
B. 表面平整度
C. 自由应力
D. 纯净度^(purity)
E. 电容

[单选题]沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

A. 不会影响成品率
B. 晶圆缺陷
C. 成品率损失
D. 晶圆损失

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