【导读】
必典考网发布集成电路制造工艺员(三级)题库2022往年考试试卷(7J),更多集成电路制造工艺员(三级)题库的考试试题请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。
1. [单选题]为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物(surface residue)。
A. 多晶硅 B. 单晶硅 C. 铝硅铜合金 D. 铜