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下列有关ARC工艺的说法正确的是()。

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    电子束蒸发(electron beam evaporation)、继电保护装置(relay protection device)、电子枪(electron gun)、干法刻蚀(dry etching)、氮化物(nitride)、电子管(valve)、去光刻胶

  • [多选题]下列有关ARC工艺的说法正确的是()。

  • A. ARC可以是硅的氮化物
    B. 可用干法刻蚀除去
    C. ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
    D. ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
    E. ARC膜也可以通过CVD的方法形成

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  • 学习资料:
  • [单选题]下列关于曝光后烘烤的说法正确的是()。
  • A. 烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
    B. 烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
    C. 烘烤的温度一般在300℃左右
    D. 烘烤的时间越长越好

  • [多选题]薄膜沉积的机构包括那些步骤()。
  • A. 形成晶核
    B. 晶粒成长
    C. 晶粒凝结
    D. 缝道填补
    E. 沉积膜成长

  • [单选题]电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为()。
  • A. 电子源
    B. 电子泵
    C. 电子管(valve)
    D. 电子枪

  • [单选题]为了保证保护装置能可靠地动作,27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。()
  • A. 18.3A
    B. 13.8A
    C. 11A
    D. 9.2A

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