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2022集成电路制造工艺员(三级)题库冲刺密卷答案公布(06.27)

来源: 必典考网    发布:2022-06-27     [手机版]    
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必典考网发布2022集成电路制造工艺员(三级)题库冲刺密卷答案公布(06.27),更多集成电路制造工艺员(三级)题库的答案解析请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。

1. [单选题]在靶片前方设一抑制栅,作用是将()抑制回去,从而保证测量的准确性。

A. 二次电子(secondary electron)
B. 二次中子
C. 二次质子
D. 无序离子


2. [单选题]单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物(vehicle)

A. 氮化硅
B. 二氧化硅
C. 光刻胶
D. 多晶硅


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