铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来

【名词&注释】

化学反应(chemical reaction)、保护层(protective layer)、外部环境(external environment)、多晶硅(polysilicon)、氮化硅(silicon nitride)、反应离子刻蚀、阻挡层(barrier layer)、等离子体刻蚀(plasma etching)、绝缘层(insulating layer)

[单选题]铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

A. 等离子体刻蚀^{(plasma etching)}
B. 反应离子刻蚀
C. 湿法刻蚀
D. 溅射刻蚀

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学习资料：

[多选题]在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

A. 晶圆顶层的保护层
B. 多层金属的介质层
C. 多晶硅与金属之间的绝缘层^{(insulating layer)}
D. 掺杂阻挡层^{(barrier layer)}
E. 晶圆片上器件之间的隔离

[多选题]净化室将硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如（）的沾污。

A. 颗粒
B. 金属
C. 有机分子
D. 静电释放（ESD）
E. 水

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