离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。

【名词&注释】

单晶硅(single crystal silicon)、反应溅射、氟化氢(hydrogen fluoride)、多晶硅(polysilicon)、金属材料(metal materials)、离子源(ion source)、扫描器(scanner)、媒介物(vehicle)、分析器(analyzer)、直流溅射(dc sputtering)

[单选题]离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。

A. 分析器^(analyzer)
B. 扫描器^(scanner)
C. 加速器
D. 偏转器

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[单选题]单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物^(vehicle)。

A. 氮化硅
B. 二氧化硅
C. 光刻胶
D. 多晶硅

[多选题]为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。

A. 低电阻率
B. 易与p或n型硅形成欧姆接触
C. 可与硅或二氧化硅反应
D. 易于光刻
E. 便于进行键合

[多选题]溅射的方法非常多其中包括（）。

A. A.直流溅射^{(dc sputtering)}B.交流溅射C.反应溅射D.二级溅射E.三级溅射

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