在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

【名词&注释】

半导体(semiconductor)、离子注入(ion implantation)、砷化氢(arsine)、新一代(new generation)、纯净度(purity)、表面平整度(surface planeness)、氧化铬(chromium oxide)

[多选题]在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

A. 均匀性
B. 表面平整度^{(surface planeness)}
C. 自由应力
D. 纯净度
E. 电容

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学习资料：

[单选题]奉献社会的实质是（）。

A. 获得社会的好评
B. 尽社会义务
C. 不要回报的付出
D. 为人民服务

[单选题]当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。

A. t2成正比
B. t2成反比
C. t成正比
D. t成反比

[多选题]离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。

A. 砷化氢
B. 二硼化氢
C. 三氟化硼
D. 硅烷
E. 氧气

[单选题]在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。

A. 二氧化锰
B. 铝
C. 氧化铬^{(chromium oxide)}
D. 金刚石

[单选题]阳树脂用盐酸做再生液，浓度为（）溶液可用原水配制。

A. 5％
B. 10%
C. 15%
D. 20%

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