下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是（）。

【名词&注释】

方程式、晶闸管(thyristor)、单晶体(single crystal)、非晶体(noncrystal)、有源逆变器(active inverter)、多晶体(polycrystal)、输出高电平(output level)

[单选题]下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是（）。

A. A.4HF+Si=SiF4+2H2↑B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

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[单选题]用于太阳能电池半导体的材料三种形式中晶粒之间存在边界的是（）。

A. A.多晶体^{(polycrystal)}B.单晶体C.非晶体D.以上都是

[单选题]一个太阳能电池单体只能产生约0.5V的电压，一般一个太阳能电池组件上，太阳能电池单体的标准数量是（）片。

A. A.12B.24C.30D.36

[单选题]晶闸管低同步调速系统工作时，晶闸管有源逆变器的触发超前角β一般为（）。

A. A.30～60度B.30～90度C.60～90度D.30～120度

[单选题]TTL集成电路的输出高电平^{(output level)}典型电压值为（）。

A. A.0B.0.3VC.3.6VD.5V

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