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正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()

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    预应力(prestressed)、切割机(cutting machine)、粉煤灰砖(fly ash brick)、保护层厚度(cover thickness)、抗压强度试验(compressive strength test)、主要工艺流程(main process flow)

  • [单选题]正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程(main process flow)是()

  • A. A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D、单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

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  • 学习资料:
  • [单选题]粉煤灰砖(JC239-2001)标准规定的粉煤灰砖不得用于长期受热()℃以上、受急冷急热和有酸性介质的建筑部位的建筑部位。
  • A. A、100
    B. B、200
    C. C、250
    D. D、300

  • [单选题]锚固端外露预应力筋的保护层厚度在正常环境中不小于()
  • A. A、20mm
    B. B、25mm
    C. C、30mm
    D. D、50mm

  • [多选题]以下关于砼轴心抗压强度试验(compressive strength test)加荷速度的描述符合标准规定的有()。
  • A. A、<C30强度等级的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPaB、≥C30且<C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPaC、≥C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPaD、A、B、C选项都对

  • [单选题]对纯金属而言,下列说法哪个是错误的()
  • A. 不会在恒温下结晶
    B. 不会发生相变
    C. 都能进行形变强化
    D. 都能进行时效强化

  • [多选题]对于切制抗压试件法的测试步骤,以下哪些说法正确()。
  • A. 在选择切割线时,宜选取竖向灰缝上、下对齐的部位
    B. 应在拟切制试件上、下两端各钻2孔,并应将拟切制试件捆绑牢固
    C. 应将切割机的锯片(锯条)对准切割线,并垂直于墙面,然后应启动切割机,并应在砖墙上切出两条竖缝
    D. 切割过程中,切割机不得偏转和移位,并应使锯片(锯条)处于连续水冷却状态
    E. 应在拟切制试件上、下两端各钻4孔,并应将拟切制试件捆绑牢固

  • [单选题]淬火和退火同一玻璃的密度相比较,()
  • A. A、前者大于后者B、相同C、前者小于后者D、无法判断

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