光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜

【名词&注释】

抗腐蚀(corrosion resistance)、半导体晶片(semiconductor wafer)

[单选题]光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

A. 刻制图形
B. 绘制图形
C. 制作图形

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[单选题]位错的形成原因是（）。

A. 位错就是由弹性形变造成的
B. 位错就是由重力造成的
C. 位错就是由范性形变造成的
D. 以上答案都不对

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