2022集成电路制造工艺员题库集成电路制造工艺员（三级）题库模拟考试冲刺试题197

1. [多选题]干氧氧化^{(dry oxidation)}法具备以下一系列的优点（）。

A. 生长的二氧化硅薄膜均匀性好
B. 生长的二氧化硅干燥
C. 生长的二氧化硅结构致密
D. 生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
E. 生长的二氧化硅掩蔽能力强

2. [单选题]He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

A. 活跃杂质
B. 快速扩散杂质
C. 有害杂质
D. 扩散杂质

3. [单选题]损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关^{(closely related)}。

A. 能量淀积
B. 动量淀积
C. 能量振荡
D. 动量振荡

4. [单选题]（）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。

A. 蒸镀
B. 溅射
C. 离子注入
D. CVD

5. [多选题]净化室将硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如（）的沾污。

A. 颗粒
B. 金属
C. 有机分子
D. 静电释放（ESD）
E. 水

6. [单选题]悬浮在空气中的颗粒称为（）。

A. 悬浮物
B. 尘埃
C. 污染颗粒
D. 浮质

查看答案&解析 查看所有试题

本文链接：https://www.51bdks.net/show/k7xv73.html