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在变电所为消降高次谐波对电能质量的影响,需装设()。

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    关键设备、串联电抗器(series reactor)、并联电抗器(shunt reactor)

  • [单选题]在变电所为消降高次谐波对电能质量的影响,需装设()。

  • A. A、串连电容
    B. B、并联电抗器
    C. C、串联电抗器
    D. D、消弧线圈

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  • 学习资料:
  • [单选题]高速1/12单开道岔,其道岔支柱一般位于道岔理论岔心开口侧()处。
  • A. A、0.6m
    B. B、0.8m
    C. C、1.0m
    D. D、1.5m

  • [单选题]一个跨距内一根保护线的接头不得超过()
  • A. A、0个
    B. B、1个
    C. C、2个
    D. D、根据跨长度而定

  • [单选题]交叉跨越线索间加装的等位线的截面积不少于()。
  • A. 8mm²
    B. 10mm²
    C. 12mm²
    D. 20mm²

  • [单选题]供电(维管)段长每()对管内的关键设备至少巡视检查1次。
  • A. A、半年
    B. B、1个月
    C. C、1年
    D. D、3个月

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