通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。

【名词&注释】

单晶硅(single crystal silicon)、自扩散(self-diffusion)、氮化硅(silicon nitride)、额定电流、熔断器熔断(fuse blowing)、多晶硅栅(polysilicon gate)、杂质浓度(impurity concentration)、干氧氧化(dry oxidation)、杂质扩散(impurity diffusion)、速度慢(slow speed)

[单选题]通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。

A. 1～1.8倍
B. 1.3～1.8倍
C. 1.3～2.1倍
D. 1.5～2.3倍

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[单选题]干氧氧化^{(dry oxidation)}法有一些优点，但同时它的缺点有（）。

A. 生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
B. 氧化的速度慢^{(slow speed)}
C. 生长的二氧化硅缺陷多
D. 生长的二氧化硅薄膜钝化效果差

[单选题]二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度^{(impurity concentration)}（）。

A. 降低
B. 增加
C. 不变
D. 先降低后增加

[单选题]固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。

A. 自扩散机制
B. 杂质扩散^{(impurity diffusion)}机制
C. 空位机制
D. 菲克扩散方程机制

[单选题]多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A. 二氧化硅
B. 氮化硅
C. 单晶硅
D. 多晶硅

[单选题]（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。

A. LPCVD
B. PECVD
C. CVD
D. PVD

[多选题]在对层间绝缘膜进行CMP时，层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。

A. 电路图形结构的凹凸
B. 尺寸大小
C. 位置分布
D. 高度
E. 密集程度

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