晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性

【名词&注释】

电流密度(current density)、斩波器(chopper)、晶闸管(thyristor)、光照强度、设计规范(design code)、电子器件(electronic devices)、缓冲剂(buffer)、电流继电器(current relay)、反作用、电工仪器仪表(electrotechnical instrument and meter)

[填空题]晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂^(buffer)，一般去除约10-20µm厚的表面层。

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[单选题]以下有关晶硅太阳能电池的温度和光照特性说法错误的是（）

A. 随着温度的升高，短路电流密度升高，开路电压下降，但光电转换效率下降。
B. 温度对开路电压的影响明显大于对短路电流的影响。
C. 光照强度对短路电流的影响明显大于对开路电压的影响。
D. 与晶硅太阳能电池相比，GaAs太阳能电池的禁带宽度较大，所以晶硅太阳能电池具有更好的温度特性。

[单选题]一般电工仪器仪表^{(electrotechnical instrument and meter)}对电源电压的变动范围要求是（）。

A. A.小于±10％B.小于±0.1％C.大于±5％D.小于±20％

[单选题]电磁系测量机构线圈的偏转将使（）产生反作用力矩。

A. A.园柱形铁芯B.游丝C.指针D.线圈

[单选题]以下不属于PLC中断事件的中断类型是（）。

A. A.通讯口中断B.I/O中断C.时基中断D.编程中断

[单选题]定宽调频控制方式中，导通比Kt的改变会导致改变斩波器的（）。

A. A.输出电压频率B.输出电压最大值C.电源电压D.输出电流幅值

[单选题]可以用过电流继电器^{(current relay)}作为过电流保护的电力电子器件是（）。

A. 功率晶体管GTR
B. IGBT
C. 功率MOSFET
D. 晶闸管

[单选题]PLC设计规范中RS232通讯的距离是多少（）m。

A. A.1300B.200C.30D.15

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