【导读】
必典考网发布2022集成电路制造工艺员题库集成电路制造工艺员(三级)题库终极模考试题168,更多集成电路制造工艺员(三级)题库的模拟考试请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。
1. [多选题]解决氧化层中的钠离子沾污的方法有()。
A. 加强工艺操作
B. 加强人体和环境卫生
C. 使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备
D. 采用HCl氧化工艺
E. 硅片清洗后,要充分烘干,表面无水迹
2. [单选题]一般用()测量注入的剂量。
A. 剂量分布仪
B. 剂量统计仪
C. 电荷分析仪
D. 电荷积分仪
3. [多选题]()专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。
A. 薄膜成长
B. 蒸发
C. 薄膜沉积
D. 溅射
E. 以上都正确
4. [单选题]检验水中是否有盐酸,可用()溶液滴入水中,如果出现白色沉淀,就表示水中有盐酸。
A. 氧化铜
B. 硝酸镁
C. 硝酸银
D. 氯化铜(copper chloride)
5. [单选题]沾污引起的电学缺陷引起(),硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。
A. 不会影响成品率(yield)
B. 晶圆缺陷
C. 成品率(yield)损失
D. 晶圆损失
6. [多选题]净化室里废气收集管系统分为两类,分别是()。
A. 一般排气系统
B. 特殊排气系统
C. 制程排气系统
D. 专用排气系统
E. 排气排水系统