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刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测

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    选择性(selectivity)、碳氢化合物(hydrocarbon)、氢氧化钠溶液(sodium hydroxide solution)

  • [单选题]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

  • A. 选择性
    B. 均匀性
    C. 轮廓
    D. 刻蚀图案

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  • 学习资料:
  • [多选题]去正胶常用的溶剂有()
  • A. 丙酮
    B. 氢氧化钠溶液
    C. 丁酮
    D. 甲乙酮
    E. 热的氯化碳氢化合物

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