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2022集成电路制造工艺员(三级)题库每日一练精选(06月23日)

来源: 必典考网    发布:2022-06-23     [手机版]    
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必典考网发布2022集成电路制造工艺员(三级)题库每日一练精选(06月23日),更多集成电路制造工艺员(三级)题库的每日一练请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。

1. [单选题]当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为()。

A. 临界剂量
B. 饱和剂量
C. 无损伤剂量
D. 零点剂量


2. [单选题]()是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。

A. LPCVD
B. PECVD
C. CVD
D. PVD


3. [多选题]在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化()。

A. 电路图形结构的凹凸
B. 尺寸大小
C. 位置分布
D. 高度
E. 密集程度


4. [单选题]阳树脂用盐酸做再生液,浓度为()溶液可用原水配制。

A. 5%
B. 10%
C. 15%
D. 20%


5. [多选题]静电释放带来的问题有哪些()。

A. 金属电迁移
B. 金属尖刺现象
C. 芯片产生超过1A的峰值电流
D. 栅氧化层击穿
E. 吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面


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