【名词&注释】
光刻胶、单晶硅(single crystal silicon)、离子注入(ion implantation)、氮化硅(silicon nitride)、交直流(ac dc)、多晶硅栅(polysilicon gate)、沉积悬浮物、薄膜淀积(thin film deposition)
[多选题]电气测量仪表若按照电流的种类来分,有()。
A. 低压仪表
B. 高压仪表
C. 直流仪表
D. 交流仪表
E. 交直流仪表
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学习资料:
[单选题]下列哪些元素在硅中是快扩散元素:()。
A. Na
B. B
C. P
D. As
[单选题]在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是()。
A. 化学增强
B. 化学减弱
C. 厚度增加
D. 厚度减少
[单选题]多晶硅栅(polysilicon gate)极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
A. 二氧化硅
B. 氮化硅
C. 单晶硅
D. 多晶硅
[单选题]()是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积(thin film deposition)技术。
A. 蒸镀
B. 离子注入
C. 溅射
D. 沉积
[单选题]悬浮在空气中的颗粒称为()。
A. 悬浮物
B. 尘埃
C. 污染颗粒
D. 浮质
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