化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。

【名词&注释】

热扩散(thermal diffusion)、单晶硅(single crystal silicon)、离子注入(ion implantation)、加速器(accelerator)、英文名称(english terms)、多晶硅刻蚀、氮化硅刻蚀(si 3 n 4 etching)、离子分析器(ion analyzer)

[单选题]化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。

A. LVD
B. PED
C. CVD
D. PVD

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学习资料：

[单选题]早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。

A. 重离子加速器
B. 热扩散炉
C. 质子分析仪
D. 轻离子分析器^{(ion analyzer)}

[单选题]在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

A. 单晶硅刻蚀
B. 多晶硅刻蚀
C. 二氧化硅刻蚀
D. 氮化硅刻蚀^{(si 3 n 4 etching)}

[单选题]薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。

A. 形成晶核
B. 晶粒自旋
C. 晶粒凝结
D. 缝道填补

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