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若定义DATDW‘AB’,则(DAT)和(DAT+1)两个相邻的内存单元中存

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    半导体(semiconductor)、晶体管(transistor)、电子管(valve)、数据线(data line)、存储器芯片(memory chip)、速度快(fast)、存储芯片(memory chip)

  • [单选题]若定义DATDW‘AB’,则(DAT)和(DAT+1)两个相邻的内存单元中存放的数据是()

  • A. 41H,42H
    B. 42H,41H
    C. 62H,61H
    D. 61H,62H

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  • 学习资料:
  • [单选题]某半导体静态存储器芯片的地址线为A12~A0,数据线D3~D0,若组成容量为64KB存储器,需要该种存储芯片(memory chip)的片数为()
  • A. 2片
    B. 4片
    C. 8片
    D. 16片

  • [单选题]计算机的发展已经过了4代,其中()是第三代计算机
  • A. 电子管
    B. 晶体管
    C. 集成电路
    D. 大规模集成电路

  • [单选题]写出机器数01011011B所对应的真值()
  • A. 1011011B
    B. +1011011B
    C. 11011011B
    D. 01011011B

  • [单选题]根据ISO/IEC7498标准,网络层次公分7层,其中网络层是第()层
  • A. 1
    B. 2
    C. 3
    D. 4

  • [单选题]已知[X]原=10100110,其[X]补=()
  • A. 10100110
    B. 01001001
    C. 11011010
    D. 00100101

  • [单选题]SRAM相对于DRAM的优点之一是()
  • A. 安全
    B. 可靠
    C. 存取容量大
    D. 存取速度快(fast)

  • [单选题]执行以下指令后:MOV AL,28HAND AL,0FHAL的内容为:()
  • A. 20H
    B. F0H
    C. 82H
    D. 08H

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