2022集成电路制造工艺员（三级）题库模拟冲刺试卷97

1. [单选题]采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

A. 结晶形态
B. 非结晶形态
C. 可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D. 以上都不对

2. [多选题]二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。

A. 比色法
B. 双光干涉法
C. 椭圆偏振光法^{(polarized light method)}
D. 腐蚀法
E. 电容-电压法

3. [单选题]He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

A. 活跃杂质
B. 快速扩散杂质
C. 有害杂质
D. 扩散杂质

4. [单选题]电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性^{(electroneutrality)}的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。

A. 离子
B. 原子团
C. 电子
D. 带电粒子

5. [单选题]（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积^{(thin film deposition)}技术。

A. 蒸镀
B. 离子注入
C. 溅射
D. 沉积

6. [单选题]金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程中（）。

A. 氧化铬^{(chromium oxide)}磨料溶水制成的研磨液
B. 使用羊毛研磨垫
C. 采用旋转研磨垫加压的方法
D. 无法必免的机械损耗

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