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二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处

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    杂质浓度(impurity concentration)、二氧化硅-硅

  • [单选题]二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。

  • A. 降低
    B. 增加
    C. 不变
    D. 先降低后增加

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