钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。（）

【名词&注释】

离子注入(ion implantation)、离子源(ion source)、离子束(ion beam)、杂质浓度(impurity concentration)、原子束(atomic beam)

[判断题]钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。（）

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学习资料：

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

A. 能量
B. 剂量

[单选题]从离子源引出的是：（）

A. A、原子束^{(atomic beam)}
B. B、分子束
C. C、中子束
D. D、离子束

[单选题]二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。

A. 预
B. 再
C. 选择

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