将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约

【名词&注释】

半导体(semiconductor)、分辨率(resolution)、太阳能(solar energy)、显示器(display)、像素点(pixel point)、太阳电池方阵(solar pv array)、多线切割

[单选题]将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。

A. A.10B.20C.5D.15

查看答案&解析 查看所有试题

学习资料：

[单选题]太阳能光伏发电系统中，太阳电池组件表面被污物遮盖，会影响整个太阳电池方阵^{(solar pv array)}所发出的电力，从而产生（）。

A. 霍尔效应
B. 孤岛效应
C. 充电效应
D. 热斑效应

[单选题]考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）

A. 15μs
B. 225μs
C. 1.5μs
D. 20μs

[单选题]显示器的分辨率高低表示（）。

A. A.在同一字符面积下，所需像素点越多，其分辨率越低B.在同一字符面积下，所需像素点越多，其显示的字符越不清楚C.在同一字符面积下，所需像素点越多，其分辨率越高D.在同一字符面积下，所需像素点越少，其字符的分辨效果越好

本文链接：https://www.51bdks.net/show/9rd85w.html