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发光二极管和光电二极管在正常工作时,其两端应()

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    频率特性(frequency characteristic)、等效电路(equivalent circuit)、存储容量(storage capacity)、压串联负反馈(factor voltage series negative feedback)、电流串联负反馈(series electric circuit negative feedba ...)、电流并联负反馈(current-shunt negative feedback)、存储芯片(memory chip)、电压并联负反馈(negative feedback of voltage parallel)

  • [单选题]发光二极管和光电二极管在正常工作时,其两端应()

  • A. A、均加正向电压
    B. B、均加反向电压
    C. C、前者加正向电压,后者加反向电压
    D. D、与C向相反

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  • 学习资料:
  • [单选题]如图:
  • A. A
    B. B
    C. C
    D. D

  • [单选题]已知某存储芯片(memory chip)的地址线为12根,则其存储容量至少为()
  • A. A、1KB
    B. B、2KB
    C. C、4KB
    D. D、8KB

  • [单选题]标识为272、6P8的电容器,其电容值为()
  • A. A、2700PF、6.8PF
    B. B、272PF、6.8PF
    C. C、2700PF、68PF
    D. D、272PF、68PF

  • [单选题]要使某系统的输出电压稳定,带载能力强()
  • A. 电流串联负反馈
    B. 电流并联负反馈(current-shunt negative feedback)
    C. 电压串联负反馈
    D. 电压并联负反馈(negative feedback of voltage parallel)

  • [单选题]扫频仪加主测网络的输出信号应为()
  • A. 单频率正弦信号
    B. 调幅信号
    C. 等幅方波信号
    D. 宽频带等幅调频信号

  • [单选题]共e、共b、共c放大器中,频率特性最差的放大器是()
  • A. A、共c放大器
    B. B、共c、共b放大器
    C. C、共b放大器
    D. D、共e放大器

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