【名词&注释】
工艺流程(technological process)、全口义齿(complete denture)、烤瓷牙(porcelain fused to mental crown)、桥基牙(abutment tooth)、咬合接触点(occlusal contact point)、人工牙(artificial tooth)、近中移动、缺牙间隙(edentulous space)、牙尖高度(cusp height)、上颌牙列缺失
[单选题]桥基牙的固位作用与哪项无关()
A. 力的大小
B. 桥体的跨度
C. 彻底的牙髓治疗
D. 良好的组织结构
E. 牙冠体积大
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学习资料:
[单选题]患者男,56岁。牙槽嵴丰满,初戴全口义齿时,发现正中咬合接触点较少。调磨时应磨的部位是().
A. 有早接触的下舌尖
B. 有早接触的上颊尖
C. 有早接触的支持尖
D. 有早接触的支持尖相对应的中央凹
E. 有早接触的支持尖相对应的牙尖
[单选题]固定义齿修复中,如缺牙间隙(edentulous space)过宽,可对桥体进行如下处理改善美观,除外()。
A. 扩大唇面近远中邻间隙
B. 加大桥体唇面突度
C. 酌情添加一较小的人工牙
D. 桥体唇面制作横向的发育沟纹
E. 如缺失牙为前磨牙,可将桥体颊面的颊嵴向近中移动
[单选题]缺牙间隙(edentulous space)龈距离短,对颌为天然牙时,人工牙最好选()。
A. 塑料牙
B. 瓷牙
C. 烤瓷牙
D. 金属面牙
E. 无尖牙
[单选题]金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是()
A. ['上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉
B. 代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉
C. 代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉
D. 代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉
E. 上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
[单选题]患者女,28岁,5天前因左上第二磨牙食甜物痛,曾直接做银汞充填。充填后觉冷热刺痛,并无自发痛。查:充填物完好,叩痛(-),冷测引起一过性痛
A. C
[单选题]男性,56岁,上颌牙列缺失,下颌剩余右侧45,和左侧234。其中右侧4松动Ⅱ度,近中倾斜并向对颌伸长,牙槽骨吸收至根中1/3;右侧5松动Ⅰ度;左侧2、3为残根。叩(-),X线片示剩余根长10~15mm,未行RCT,根尖区无阴影;左侧4松Ⅱ度,近中倾斜,向对颌伸长,牙槽骨吸收至根中1/3。
A. C
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