【名词&注释】
单晶硅(single crystal silicon)、测量方法(measurement method)、比色法(colorimetry)、多晶硅(polysilicon)、氮化硅(silicon nitride)、无损伤(no damage)、圆偏振光(circularly polarized light)、干氧氧化(dry oxidation)、偏振光法(polarized light method)、速度慢(slow speed)
[多选题]以()等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。
A. 单晶硅
B. 多晶硅
C. 硅化金属
D. 二氧化硅
E. 氮化硅
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学习资料:
[单选题]干氧氧化(dry oxidation)法有一些优点,但同时它的缺点有()。
A. 生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
B. 氧化的速度慢(slow speed)
C. 生长的二氧化硅缺陷多
D. 生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
[多选题]二氧化硅薄膜厚度的测量方法有()。
A. 比色法
B. 双光干涉法
C. 椭圆偏振光(circularly polarized light)法
D. 腐蚀法
E. 电容-电压法
[单选题]当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为()。
A. 临界剂量
B. 饱和剂量
C. 无损伤剂量
D. 零点剂量
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