单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气

【名词&注释】

光刻胶、单晶硅(single crystal silicon)、绝缘体(insulator)、氟化氢(hydrogen fluoride)、电子元件(electronic component)、多晶硅(polysilicon)、氮化硅(silicon nitride)、扩散工艺(diffusion process)、媒介物(vehicle)、场氧化层(field oxide)

[单选题]单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物^(vehicle)。

A. 氮化硅^{(silicon nitride)}
B. 二氧化硅
C. 光刻胶
D. 多晶硅

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学习资料：

[多选题]扩散工艺^{(diffusion process)}使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

A. 内部的杂质分布
B. 表面的杂质分布
C. 整个晶体的杂质分布
D. 内部的导电类型
E. 表面的导电类型

[单选题]在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

A. 栅氧化层
B. 沟槽
C. 势垒
D. 场氧化层^{(field oxide)}

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