（）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。

【名词&注释】

电子束蒸发(electron beam evaporation)、去离子水(deionized water)、库仑定律(coulomb law)、工艺技术(technology)、集成电路(integrated circuit)、真空蒸发(vacuum evaporation)、反应离子刻蚀、化学作用(chemical action)、等离子体刻蚀(plasma etching)、离子束蒸发(ion beam evaporation)

[单选题]（）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。

A. 晶核
B. 晶粒
C. 核心
D. 核团

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学习资料：

[单选题]用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。

A. pn结理论
B. 欧姆定律
C. 库仑定律
D. 四探针技术

[单选题]在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

A. 刻蚀
B. 氧化
C. 淀积
D. 光刻

[单选题]刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用^{(chemical action)}或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

A. 二氧化硅
B. 氮化硅
C. 光刻胶
D. 去离子水

[单选题]铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

A. 等离子体刻蚀^{(plasma etching)}
B. 反应离子刻蚀
C. 湿法刻蚀
D. 溅射刻蚀

[多选题]按加热源的不同，可以分成（）几种不同类型的蒸发。

A. 真空蒸发
B. 离子束蒸发^{(ion beam evaporation)}
C. 电子束蒸发
D. 粒子束蒸发
E. 常压蒸发

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