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下列有关曝光系统的说法正确的是()。

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    利用率(utilization ratio)、单晶硅(single crystal silicon)、分辨率(resolution)、不均匀性(inhomogeneity)、多晶硅(polysilicon)、氮化硅(silicon nitride)

  • [多选题]下列有关曝光系统的说法正确的是()。

  • A. 投影式同接触式相比,掩模版的利用率比较高
    B. 接触式的分辨率优于接近式
    C. 接近式的分辨率受到衍射的影响
    D. 投影式曝光系统中不会产生衍射现象
    E. 投影式曝光是目前采用的主要曝光系统

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  • 学习资料:
  • [单选题]大硅片上生长的()的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
  • A. 薄膜厚度
    B. 图形宽度
    C. 图形长度
    D. 图形间隔

  • [多选题]下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。
  • A. 二氧化硅氮化硅(silicon nitride)
    B. 多晶硅(polysilicon)硅化金属
    C. 单晶硅多晶硅(polysilicon)
    D. 铝铜
    E. 铝硅

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