SRAM和DRAM均为RAM存储器，二者的容量与读写速度为（）

【名词&注释】

约束条件(constraint condition)、频带宽度(bandwidth)、示波器(oscilloscope)、反向饱和电流、振荡电路(oscillation circuit)、半导体二极管(semiconductor diode)、输出电阻(output resistance)、并联负反馈(parallel negative-feedback)、串联负反馈(series negative feedback)

[单选题]SRAM和DRAM均为RAM存储器，二者的容量与读写速度为（）

A. A、SRAM有极高的读写速度及大容量
B. B、DRAM有极高的读写速度及大容量
C. C、SRAM有极高的读写速度，DRAM有更大的容量
D. D、DRAM有极高的读写速度，SRAM有更大的容量

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[单选题]用示波器测量晶体振荡电路时，造成振荡器停振，可能的原因为（）

A. A、晶体振荡电路的输出电阻^{(output resistance)}过低
B. B、示波器的频带宽度不够
C. C、示波器的高频等效阻抗偏低
D. D、示波器的高频等效阻抗偏高

[单选题]已知某A/D转换器芯片的转换时间为10μs，则此A/D能对最高频率为多少的输入信号进行A/D转换（）

A. A、100kHz
B. B、50kHz
C. C、200kHz
D. D、250kHz

[单选题]下列各触发器中，具有约束条件的触发器是（）

A. A、主从JK触发器
B. B、主从D触发器
C. C、同步RS触发器
D. D、边沿D触发器

[单选题]有关硅半导体二极管，下述哪条说法是不正确的？（）

A. A、其正向开启电压为0.6～0.7伏
B. B、其反向饱和电流较小，但随温升高而加大
C. C、其正向导通电阻陡，工作点电流加大而减小
D. D、其正向导通的交流电阻与直流电阻相等

[单选题]放大器的级数愈多，则其总增益，总带宽，总选择性与单级相比（）

A. A、总增益愈大，总带宽愈宽，总选择性愈好
B. B、总增益愈大，总带宽愈宽，总选择性愈差
C. C、总增益愈大，总带宽愈窄，总选择性愈好
D. D、总增益愈大，总带宽愈窄，总选择性愈差

[单选题]要使某系统的输出电压稳定，带载能力强（）

A. 电流串联负反馈^{(series negative feedback)}
B. 电流并联负反馈^{(parallel negative-feedback)}
C. 电压串联负反馈^{(series negative feedback)}
D. 电压并联负反馈^{(parallel negative-feedback)}

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