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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离

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    半导体(semiconductor)、载流子输运(carrier transport)、受压弹性模量

  • [单选题]杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()

  • A. A.变大,变小B.变小,变大C.变小,变小D.变大,变大

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  • 学习资料:
  • [单选题]砌墙砖试验方法(GB/T2542-2003)标准中做抗折强度试验时,应以()N/s的速度均匀加荷直至试件断裂。
  • A. A、50
    B. B、150
    C. C、50或150
    D. D、50~150

  • [单选题]扁顶法实测墙体的受压弹性模量时,在完成墙体的受压工作应力测试后,当选用250³250mm扁顶时,开凿第二水平槽普通砖砌体两槽之间的距离应相隔()砖。
  • A. 4
    B. 5
    C. 6
    D. 7

  • [单选题]陶瓷的致命弱点在于()。
  • A. A、硬度B、强度C、韧性D、脆性

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