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集成电路制造工艺员(三级)题库2022冲刺密卷案例分析题答案(04.20)

来源: 必典考网    发布:2022-04-20     [手机版]    
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必典考网发布集成电路制造工艺员(三级)题库2022冲刺密卷案例分析题答案(04.20),更多集成电路制造工艺员(三级)题库的答案解析请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。

1. [单选题]早期,研究离子注入技术是用()来进行的。

A. 重离子加速器
B. 热扩散炉
C. 质子分析仪
D. 轻离子分析器(ion analyzer)


2. [单选题]物理气相沉积简称()。

A. LVD
B. PED
C. CVD
D. PVD


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