当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。

【名词&注释】

热扩散(thermal diffusion)、光刻胶、离子注入(ion implantation)、加速器(accelerator)、原子序数(atomic number)、射程分布(range distribution)、显影液(developer)、离子分析器(ion analyzer)

[单选题]当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。

A. t2成正比
B. t2成反比
C. t成正比
D. t成反比

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[单选题]He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

A. 活跃杂质
B. 快速扩散杂质
C. 有害杂质
D. 扩散杂质

[多选题]有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。

A. 负胶受显影液^(developer)的影响比较小
B. 正胶受显影液^(developer)的影响比较小
C. 正胶的曝光区将会膨胀变形
D. 使用负胶可以得到更高的分辨率
E. 负胶的曝光区将会膨胀变形

[多选题]对于非晶靶，离子注入的射程分布^{(range distribution)}取决于（）。

A. 入射离子的能量
B. 入射离子的质量
C. 入射离子的原子序数
D. 靶原子的质量、原子序数、原子密度
E. 注入离子的总剂量

[多选题]下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。

A. 注入离子的质量
B. 靶的种类
C. 注入温度
D. 注入速度
E. 注入剂量

[单选题]（）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。

A. Cl2
B. BCl3
C. CO2
D. H2

[单选题]早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。

A. 重离子加速器
B. 热扩散炉
C. 质子分析仪
D. 轻离子分析器^{(ion analyzer)}

[单选题]（）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。

A. 晶核
B. 晶粒
C. 核心
D. 核团

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