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单晶硅棒和PN结的制造技术等,与()以及()等半导体制造技术有

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    单晶硅(single crystal silicon)、半导体(semiconductor)、电流表(ammeter)、浓度梯度(concentration gradient)、吸收系数(absorption coefficient)、太阳电池(solar cell)、多晶硅(polysilicon)、光诱导、历史悠久(has a long history)、近年来(recently)

  • [填空题]单晶硅棒和PN结的制造技术等,与()以及()等半导体制造技术有较多共同部分,且历史悠久(has a long history),实际业绩突出。

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  • 学习资料:
  • [单选题]太阳能光伏发电系统中,太阳电池组件表面被污物遮盖,会影响整个太阳电池方阵所发出的电力,从而产生()。
  • A. 霍尔效应
    B. 孤岛效应
    C. 充电效应
    D. 热斑效应

  • [单选题]关于多晶硅(polysilicon)和非晶硅电池,以下说法错误的是()
  • A. 在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。
    B. 非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。
    C. 多晶硅(polysilicon)和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。
    D. 与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

  • [单选题]近年来(recently),一半以上的太阳能电池使用的是用铸造法制造的()基片。
  • A. 单晶硅
    B. 多晶硅(polysilicon)
    C. CIGS
    D. CIS

  • [单选题]44C2--A型电流表,型号“C”代表()。
  • A. 磁电系
    B. 电磁系
    C. 电动系
    D. 感应系

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