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通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低

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    溶解度(solubility)、光刻胶、离子注入(ion implantation)、显影液(developer)

  • [多选题]通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。

  • A. 光刻胶
    B. 衬底
    C. 表面硅层
    D. 扩散区
    E. 源漏区

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  • 学习资料:
  • [单选题]下列哪些因素不会影响到显影效果的是()。
  • A. 显影液(developer)的温度
    B. 显影液(developer)的浓度
    C. 显影液(developer)的溶解度
    D. 显影液(developer)的化学成分

  • [单选题]为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个()或采用无油泵。
  • A. 液氮冷阱
    B. 净化阱
    C. 抽气阱
    D. 无气泵

  • [单选题]请在下列选项中选出硅化金属的英文简称:()。
  • A. A.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide

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