在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液

【名词&注释】

利用率(utilization ratio)、分辨率(resolution)、选择性(selectivity)、金属材料(metal materials)、真空蒸发(vacuum evaporation)、额定电流、熔断器熔断(fuse blowing)、化合物半导体(compound semiconductor)、不一定(not always)

[单选题]在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。

A. 乙醇
B. HCL
C. H2SO4
D. HNO3

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[单选题]钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。

A. 替位式
B. 间隙式
C. 施主
D. 可能是替位式也可能是间隙式

[单选题]化合物半导体^{(compound semiconductor)}砷化镓常用的施主杂质是（）。

A. 锡
B. 硼
C. 磷
D. 锰

[多选题]下列有关曝光系统的说法正确的是（）。

A. 投影式同接触式相比，掩模版的利用率比较高
B. 接触式的分辨率优于接近式
C. 接近式的分辨率受到衍射的影响
D. 投影式曝光系统中不会产生衍射现象
E. 投影式曝光是目前采用的主要曝光系统

[单选题]一般用（）测量注入的剂量。

A. 剂量分布仪
B. 剂量统计仪
C. 电荷分析仪
D. 电荷积分仪

[单选题]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

A. 选择性
B. 均匀性
C. 轮廓
D. 刻蚀图案

[单选题]用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（）。

A. 重要步骤
B. 次要步骤
C. 首要步骤
D. 不一定^{(not always)}

[单选题]通常选熔断器熔断^{(fuse blowing)}电流为电路额定电流的（）。

A. 1～1.8倍
B. 1.3～1.8倍
C. 1.3～2.1倍
D. 1.5～2.3倍

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