2022集成电路制造工艺员（三级）题库晋升职称在线题库(10月18日)

1. [单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

A. 4～6h
B. 50min～2h
C. 10～40min
D. 5～10min

2. [多选题]关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。

A. 负胶的感光区域溶解
B. 正胶的感光区域溶解
C. 负胶的感光区域不溶解
D. 正胶的感光区域不溶解
E. 负胶的非感光区域溶解

3. [单选题]在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

A. 单晶硅刻蚀
B. 多晶硅刻蚀
C. 二氧化硅刻蚀
D. 氮化硅刻蚀^{(si 3 n 4 etching)}

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