在对层间绝缘膜进行CMP时，层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产

【名词&注释】

去离子水(deionized water)、原子数(atomicity)、主要工艺流程(main process flow)

[多选题]在对层间绝缘膜进行CMP时，层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。

A. 电路图形结构的凹凸
B. 尺寸大小
C. 位置分布
D. 高度
E. 密集程度

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学习资料：

[单选题]光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

A. 涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B. 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C. 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D. 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

[单选题]（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。

A. 溅射率
B. 溅射系数
C. 溅射效率
D. 溅射比

[单选题]我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效，阴树脂先失效，水呈（）性。

A. 酸
B. 碱
C. 弱酸
D. 弱碱

[多选题]树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。

A. 80
B. 60
C. 40
D. 20
E. 10

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