TTL与非门的门槛电压在理论上等于（）。

【名词&注释】

相位差(phase difference)、晶闸管(thyristor)、理论上(theory)、TTL与非门(ttl nand gate)

[单选题]TTL与非门^{(ttl nand gate)}的门槛电压在理论上等于（）。

A. A、0.3V
B. B、0.5V
C. C、0.7V
D. D、1.4V

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学习资料：

[单选题]在三相半控桥式整流电路中，要求共阴极组晶闸管的触发脉冲之间相位差为（）。

A. A、60°
B. B、120°
C. C、150°
D. D、180°

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