2022集成电路制造工艺员题库集成电路制造工艺员（三级）题库模拟考试133

1. [单选题]采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

A. 结晶形态
B. 非结晶形态
C. 可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D. 以上都不对

2. [单选题]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

A. 选择性
B. 均匀性
C. 轮廓
D. 刻蚀图案

3. [多选题]以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。

A. 单晶硅
B. 多晶硅
C. 硅化金属
D. 二氧化硅
E. 氮化硅^{(silicon nitride)}

4. [多选题]在对层间绝缘膜进行CMP时，层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。

A. 电路图形结构的凹凸
B. 尺寸大小
C. 位置分布
D. 高度
E. 密集程度

5. [单选题]为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）

A. 18.3A
B. 13.8A
C. 11A
D. 9.2A

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