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腐蚀V形槽一般采用()的湿法化学腐蚀方法。

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    各向异性(anisotropy)、电路设计(circuit design)、逻辑设计(logic design)、离子源(ion source)、离子束(ion beam)、原子束(atomic beam)

  • [填空题]腐蚀V形槽一般采用()的湿法化学腐蚀方法。

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  • 学习资料:
  • [单选题]说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫():
  • A. A、逻辑设计
    B. B、物理设计
    C. C、电路设计
    D. D、系统设计

  • [单选题]从离子源引出的是:()
  • A. A、原子束(atomic beam)
    B. B、分子束
    C. C、中子束
    D. D、离子束(ion beam)

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